BSS123
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fabricant:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. est une société basée à Yangzhou.
Définition:
N-CH MOSFET 100V 0,2A SOT-23-3L
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
2,5 OR @ 10 V
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
14 pF @ 50 V
Série:
-
Vgs (maximum):
± 20 V
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5Ohm @ 200mA, 10V
Mfr:
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. est une société basée à Yangzhou.
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Dissipation de puissance (maximum):
350mW (ventres)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
200mA (ventres)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Caractéristique de FET:
-
Introduction
N-Channel 100 V 200 mA (Ta) 350 mW (Ta) Monture de surface SOT-23
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Le stock:
Nombre de pièces:
