SQ2361AEES-T1_GE3
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fabricant:
Vishay Semi-conducteurs
Définition:
MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
P-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
- 2,8 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Nom commercial:
TrenchFET
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
Le SOT-23-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
- 60 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
- 2,5 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
0.13 Ohms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
+/- 20 V
Qg - charge de porte:
15 OR
Produit de fabrication:
Vishay Semi-conducteurs
Introduction
Le SQ2361AEES-T1_GE3, de Vishay Semiconductors, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'appareil.
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Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'appareil. |
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