FQP6N90C

fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Définition:
MOSFET 900V N-Ch Q-FET avance série C
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
N-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
6 A
Mode de montage:
À travers le trou
Nom commercial:
QFET
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
900 V
emballage:
Tuyaux
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
30 V
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
2.3 Ohms
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Mettre en évidence:

FQP6N90C MOSFET semiconductor

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FQP6N90C power IC

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Introduction
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