IPD25N06S4L-30
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fabricant:
Infineon Technologies
Définition:
Transistor MOSFET N-ch 60V 25A DPAK-2 OptiMOS-T2
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Identification - courant continu de drain:
25 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
29 W
Vds - tension claque de Drain-source:
60 V
emballage:
Tape et bobine (TR)
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
1.2 V
Le paquet:
TO-252
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
23 mOhms
Règlement ROHS:
Vert disponible
Quantité de l'emballage d'usine:
2500
Vgs - tension de Porte-source:
- 16 V, + 16 V
Qg - charge de porte:
16.3 nC
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
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