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Le nombre de points de contrôle

fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Définition:
MOSFET double N-Ch 2.5V Fosse de puissance spécifique
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
N-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
3 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Nom commercial:
PowerTrench
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
SSOT-6
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
20 V
emballage:
Le rouleau
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nombre de chaînes:
2e chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
12 V
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
70 mOhms
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Mettre en évidence:

FDC6401N MOSFET semiconductor IC

,

FDC6401N power management IC

,

FDC6401N electronic component IC

Introduction
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