Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Les spécifications
Polarité de transistor:
N-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
6,3 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Nom commercial:
QFET
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
TO-263-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
900 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
5 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
1,6 Ohm
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
30 V
Qg - charge de porte:
35 OR
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Mettre en évidence:
FQB8N90CTM MOSFET semiconductor IC
,FQB8N90CTM power transistor
,FQB8N90CTM electronic component
Introduction
Le FQB8N90CTM,de Fairchild Semiconductor,est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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