FDC3601N
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Définition:
MOSFET double N-Ch 100V Fosse de puissance spécifique
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
N-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
1 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Nom commercial:
PowerTrench
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
SSOT-6
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
Pour les appareils électroniques
emballage:
Le rouleau
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Nombre de chaînes:
2e chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
500 mOhms
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Mettre en évidence:
FDC3601N semiconductor IC
,FDC3601N power MOSFET
,FDC3601N electronic component
Introduction
Le FDC3601N,de Fairchild Semiconductor,est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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