FGH60N60SMD
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Définition:
Transistors IGBT 600V/60A arrêt de champ IGBT version 2
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 400
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
120 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
600 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
TO-247
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
emballage:
Tuyaux
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,9 V
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Mettre en évidence:
N-channel MOSFET 600V
,power semiconductor IC
,high voltage transistor
Introduction
Le FGH60N60SMD, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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