FGA40T65SHD
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Définition:
Transistors IGBT 650V FS Génération 3 IGBT de tranchée
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 400
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
80 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
268 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
TO-3PN
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
emballage:
Tuyaux
Tension maximum d'émetteur de porte:
30 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2.14 V
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Mettre en évidence:
FGA40T65SHD semiconductor IC
,FGA40T65SHD power transistor
,FGA40T65SHD high voltage IC
Introduction
Le FGA40T65SHD, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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