STD13N60DM2
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Le système d'exploitation doit être équipé d'un système d'exploitation de l'énergie.
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
5V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
19 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
365 mOhm @ 5,5 A, 10 V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
600 V ou plus
Vgs (maximum):
±25V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
730 pF @ 100 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
MDmeshTM DM2
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
DPAK
Mfr:
STMicroélectronique
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
11A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
110W (TC)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
STD13
Mettre en évidence:
STD13N60DM2 power MOSFET
,STD13N60DM2 semiconductor IC
,STD13N60DM2 high voltage transistor
Introduction
N-canal 600 V 11A (Tc) 110W (Tc) Monture de surface DPAK
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Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.
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Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation. |
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