STS4DNF60L
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fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistor MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-SO
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
0
Quantité minimale:
2500
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1030pF @ 25V
Emballage / boîtier:
8-SOIC (0.154" ; , largeur de 3.90mm)
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
4a
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
15nC @ 4,5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
55 mOhm @ 2A, 10V
Puissance maximale:
2W
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.5V @ 250µA
Série:
STripFET™
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Introduction
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