FDC3601N
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SuperSOT™-6
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
0
Quantité minimale:
3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
153 pF @ 50V
Emballage / boîtier:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
1A
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
La norme
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
100 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils à commande numérique:
Puissance maximale:
700mW
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Série:
PowerTrench®
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
Le FDC3601N,de onsemi,est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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