STGB30H60DFB
fabricant:
STMicroélectronique
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
+ / - 250 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 C:
60 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
260 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
D2PAK-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Le rouleau
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,55 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
STGB30H60DFB IGBT semiconductor
,STGB30H60DFB power IC
,STGB30H60DFB high voltage IC
Introduction
Le STGB30H60DFB,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation.
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Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation. |
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