STGW20NC60VD
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT N-Ch 600 Volt 30 Amp
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 100 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
60 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
200 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,5 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
STGW20NC60VD IGBT semiconductor
,STGW20NC60VD power IC
,STGW20NC60VD with warranty
Introduction
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Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation. |
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