STGWA40H65DFB
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT Port de tranchée IGBT, série HB 650 V, 40 A à haute vitesse
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 250 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
80 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
283 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,6V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
Semiconducteur IGBT STGWA40H65DFB
,Circuit intégré de puissance STGWA40H65DFB
,Circuit intégré haute tension STGWA40H65DFB
Introduction
Le STGWA40H65DFB,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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