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Le code de conduite est le code STGF19NC60KD

fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT 2A 6V à court-circuit IGBT rugueux
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 100
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
35 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
32 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
TO-220FP-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:

Semiconducteur IGBT STGF19NC60KD

,

Circuit intégré de puissance STGF19NC60KD

,

STGF19NC60KD avec garantie

Introduction
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