STGD18N40LZT4
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT EAS 180 mJ-400 V avec prise IGBT
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
emballage:
Tape et bobine (TR)
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Qualification:
AEC-Q101
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
360 V
Tension maximum d'émetteur de porte:
12 V
Le paquet:
TO-252
Configuration:
Unique
Règlement ROHS:
Vert disponible
Quantité de l'emballage d'usine:
2500
Courant de collecteur continu Ic Max:
25 A
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
STGD18N40LZT4 MOSFET de puissance
,STGD18N40LZT4 circuit intégré à semi-conducteurs
,STGD18N40LZT4 transistor haute tension
Introduction
Le STGD18N40LZT4, de STMicroelectronics, est des transistors IGBT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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