STGW39NC60VD
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT N-CHANNEL MFT
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 100 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Pd - Dissipation de l'énergie:
250 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1.8 V/1.7 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
STGW39NC60VD circuit intégré à semiconducteur de puissance
,STGW39NC60VD circuit intégré haute tension
,STGW39NC60VD circuit intégré industriel
Introduction
Le STGW39NC60VD,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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