STGW80V60DF
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT Porte de tranchée série V 600V 80A HiSpd
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
250 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
120 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
469 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,85 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
Circuit intégré à semiconducteur de puissance STGW80V60DF
,Circuit intégré haute tension STGW80V60DF
,Semiconducteur STGW80V60DF avec garantie
Introduction
Le STGW80V60DF,de STMicroelectronics,est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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