Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT Série IGBT M, 650 V 50 A à faible perte
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 250 UA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
80 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
375 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,65 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
Semi-conducteur IGBT STGWA50M65DF2
,Circuit intégré de puissance STGWA50M65DF2
,STGWA50M65DF2 avec garantie
Introduction
Le STGWA50M65DF2, de STMicroelectronics, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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