STGWA25H120DF2
fabricant:
STMicroélectronique
Définition:
Transistors IGBT Bipolaire de puissance et IGBT
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
250 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
50 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Pd - Dissipation de l'énergie:
375 W
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,5 V
Produit de fabrication:
STMicroélectronique
Mettre en évidence:
STGWA25H120DF2 IGBT semiconductor
,STGWA25H120DF2 power module
,STGWA25H120DF2 IC with warranty
Introduction
Le STGWA25H120DF2, de STMicroelectronics, est des transistors IGBT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le numéro d'immatriculation est le numéro d'immatriculation. |
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