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Semi-conducteur IC

Imagepartie #DéfinitionfabricantLe stockRFC
qualité [#varpname#] usine

NTMD4840NR2G

MOSFET NFET SO8 30V 7,5A 0,034R
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

FDP51N25

MOSFET 250 V MOSFET à canal N
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

NDS9407

MOSFET P-Ch unique MOSFET Trench de puissance
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

SQJ479EP-T1_GE3

MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifié
Siliconix / Vishay
qualité [#varpname#] usine

2N7000TA

MOSFET 60V N-canal Sm Sig
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

NVMFS5C404NLWFT1G

Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

Le modèle FDMS8320L

MOSFET 40V/20V NCh PowerTrench MOSFET
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

Le système d'avertissement doit être conforme aux exigences suivantes:

MOSFET 30V à double alimentation N-Channel
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

FCD380N60E

MOSFET 600V MOSFET à chaîne N
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

FDS6990AS

MOSFET 30V double N-CH. FET 18 MO SO8
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

FDC6305N

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le rapport annuel annuel annuel.
Infineon Technologies
qualité [#varpname#] usine

RJK0454DPB-00#J5

La série MOSFET JET, 40V, LFPAK, Pb-F, HF
Renesas électronique
qualité [#varpname#] usine

Le nombre de points de contrôle

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

NCV8402ADDR2G

MOSFET 42V2A
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

FQP6N90C

MOSFET 900V N-Ch Q-FET avance série C
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

IRL520PBF

MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampère
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

IRFP064PBF

MOSFET N-Chan 60V 70 Ampère
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

NVD2955T4G, qui est le

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

FDA59N30

Transistor MOSFET du TRANSISTOR MOSFET 500V NCH
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

IRF840APBF

MOSFET N-Chan 500V 8,0 Ampère
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

Les États membres doivent respecter les dispositions suivantes:

MOSFET P-Chan 100V 12 ampères
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

ECH8697R-TL-W

Le débit d'eau est de 2,5 V.
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

IRFU320PBF

MOSFET N-Chan 400V 3,1 ampères
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

Pour les véhicules à moteur électrique

MOSFET à MV7 sans plomb 80V
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

Le nombre de points de contrôle

MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

FDS4559

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à 60 V.
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

SI1869DH-T1-E3

Le système de commande de charge de MOSFET est de 1,8 V.
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin d'évaluation de l'OMS.

MOSFET 200V PowerPAK SO-8 type Rds ((on) 24h
Siliconix / Vishay
qualité [#varpname#] usine

NTTFS4937 NTWG

MOSFET 30V 75A 4,5 mOhm N-Channel unique u8FL
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

NCV8405ASTT1G

MOSFET auto-protégé du côté inférieur F
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

FDC6312P

MOSFET SSOT-6 P-CH DUAL
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

NCV8402ASTT1G

Le débit d'électricité doit être supérieur à:
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

SQ7415AEN-T1_GE3

MOSFET 60V 16A 53W AEC-Q101 Qualifié
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

IRF9630PBF

MOSFET P-Chan 200V 6,5 ampères
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

2N7002KT1G

MOSFET NFET SOT23 60V 380mA 2,5 Ohms
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Infineon Technologies
qualité [#varpname#] usine

NTZD3154NT5G

MOSFET 20V 540mA à double N-canal avec ESD
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la liste ci-dessous:

MOSFET N-CH Puissance MOSFET 1500V 2,5A
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

NTD6416ANT4G

Le système d'exploitation de l'appareil doit être équipé d'un dispositif de ventilation de l'apparei
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

IRFPG50PBF

MOSFET N-Chan 1000V 6,1 ampères
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

FDP61N20

MOSFET 200V MOSFET à chaîne N
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

FDC2612

MOSFET 200V NCh PowerTrench
Fairchild Semi-conducteur
qualité [#varpname#] usine

SI1024X-T1-GE3

MOSFET double N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4,5V
Vishay Semi-conducteurs
qualité [#varpname#] usine

NTR2101PT1G

Le MOSFET -8V 3.7A est un canal P.
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

NVD5862NT4G, qui est le

Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé.
Uniseme
qualité [#varpname#] usine

Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

MOSFÉT MOSFÉT
Infineon Technologies
40 41 42 43 44