logo
Maison > fabricants >

Vishay Semi-conducteurs

Vishay Semi-conducteurs
  • Introduction
  • Les produits les plus
Introduction

Vishay Semi-conducteurs

Les produits les plus
Image partie # Définition fabricant Le stock RFQ
qualité Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A usine

Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir SMA6J7.5A-E3/5A

Vishay ESD Suppresseurs TVS Diodes 600W 7.5V 5% Unidir
qualité VO1263AACTR usine

VO1263AACTR

Optocoupleurs à sortie de photodiode Du conducteur de MOSFET photovoltaïque double
qualité VO3120-X007T usine

VO3120-X007T

Optocoupleurs de sortie logique 2.5A courant sortant IGBT/MOSFET Drvr
qualité VOM160RT usine

VOM160RT

Optocoupleurs de sortie Triac et SCR 600V 10mA 0,5K DV/DT Pas de virage
qualité 6N137-X007T usine

6N137-X007T

Optocoupleurs à haute vitesse 10Mbd CTR unique à haute vitesse> 300%
qualité Pour les produits de la catégorie 1 usine

Pour les produits de la catégorie 1

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique> 160-256%
qualité Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe V. usine

Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe V.

Optocoupleurs de sortie de transistors CTR 63-125% 10MA
qualité SFH6156-3T usine

SFH6156-3T

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique 100 à 200%
qualité TCLT1000 usine

TCLT1000

Phototransistor de coupleurs optiques de sortie de transistor
qualité Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre. usine

Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente de l'État membre.

Transistors de sortie Optocoupleurs d'entrée CA, Phtotrnstr 63-125% CTR VDE
qualité Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'appareil. usine

Les caractéristiques de l'appareil doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'appareil.

Optocoupleurs de sortie de transistors H. Relblty 5300 Vrms 63-125% CTR
qualité Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement. usine

Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement.

Optocoupleurs de sortie de transistors Optocplr Phototrnstr 100 à 200% de CTR
qualité TCLT1009 usine

TCLT1009

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique 200 à 400%
qualité LQI1 usine

LQI1

Optocoupleurs de sortie de transistors Phototransistors de sortie Quad CTR > 20%
qualité CNY65AGRST usine

CNY65AGRST

Transistors de sortie Optocoupleurs PHOTOTRANSISTORS sortie CTR 100 à 300
qualité Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission. usine

Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.

Optocoupleurs de sortie de transistors Optocplr Phototrnstr 100 à 200% CTR VDE
qualité Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement. usine

Les caractéristiques de l'équipement doivent être définies en fonction des caractéristiques de l'équipement.

Transistors de sortie Optocoupleurs Phototransistors de sortie CTR unique> 100 à 200%
qualité Le montant de la taxe est fixé à: usine

Le montant de la taxe est fixé à:

Phototransistor de coupleurs optiques de sortie de transistor
qualité Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm. usine

Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.

CANAL N MOSFET 600V
qualité SQJA86EP-T1_GE3 usine

SQJA86EP-T1_GE3

MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualifié
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

MOSFET 20V 4.4A MOSFET P-CH
qualité IRFB18N50KPBF usine

IRFB18N50KPBF

MOSFET N-Chan 500V 17 ampères
qualité SI7956DP-T1-GE3 usine

SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 150V 4.1A 3,5W 105mohm @ 10V
qualité Les données sont fournies par les autorités compétentes. usine

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

MOSFET N-Chan 600V 16 ampères
qualité SI2371EDS-T1-GE3 usine

SI2371EDS-T1-GE3

Le système de détection de la pollution par le gaz doit être équipé d'un système de détection de la
qualité SI4816BDY-T1-GE3 usine

SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET Dua IN-Ch w/Schottky 30V 18,5/11,5 mohm
qualité Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2. usine

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
qualité SI4431CDY-T1-GE3 usine

SI4431CDY-T1-GE3

MOSFET 30V 9.0A 4.2W 32mohm @ 10V
qualité SQ2361AEES-T1_GE3 usine

SQ2361AEES-T1_GE3

MOSFET -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualifié
qualité IRL520PBF usine

IRL520PBF

MOSFET N-Chan 100V 9,2 Ampère