NTMFS5C604NLT3G
fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2V @ 250μA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
8-PowerTDFN, 5 avances
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
120 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.2mOhm @ 50A, 10V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
8900 pF @ 25 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Mfr:
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
Le nombre de sièges est déterminé par le nombre de sièges.
Dissipation de puissance (maximum):
3.9W (merci), 200W (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
NTMFS5
Mettre en évidence:
Circuit intégré à semi-conducteurs NTMFS5C604NLT3G
,Transistor MOSFET NTMFS5C604NLT3G
,Circuit intégré de gestion d'alimentation avec garantie
Introduction
N-canal 60 V 40A (ventres), 287A (comité technique) 3.9W (merci), 200W (comité technique) bâti 5-DFN (5x6) (8-SOFL) de la surface
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