FDV301N
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.06V @ 250μA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
0,7 OR @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
4 ohms @ 400 mA, 4,5 V
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
2.7V, 4.5V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
25 V
Vgs (maximum):
±8V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
9.5 pF @ 10 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-23-3
Mfr:
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
220mA (ventres)
Dissipation de puissance (maximum):
350mW (ventres)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Le numéro de série FDV301
Introduction
Bâti 350mW (merci) extérieur du N-canal 25 V 220mA (ventres) SOT-23-3
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