NTR4101PT1G
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.2V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
8.5 nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'échantillon doit être égale ou supérieure à:
Type de FET:
P-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
1.8V, 4.5V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Vgs (maximum):
±8V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
675 pF @ 10 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Mfr:
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
1.8A (ventres)
Dissipation de puissance (maximum):
420mW (ventres)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
NTR4101
Introduction
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 420mW (Ta) Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)
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