NTBG025N065SC1
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Le carbure de silicium (SIC) MOSFET - 1
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4.3V @ 15,5 mA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-263-8, ² PAK (7 avances + étiquettes) de D, TO-263CA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
Pour les appareils à combustion
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
28Pour les appareils à commande numérique:
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
15V, 18V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
650 V
Vgs (maximum):
+22V, -8V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3480 pF @ 325 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D2PAK-7
Mfr:
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
106A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
395W (Tc)
La technologie:
SiCFET (carbure de silicium)
Numéro du produit de base:
NTBG025
Introduction
N-Channel 650 V 106A (Tc) 395W (Tc) Monture de surface D2PAK-7
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