Le nombre de points d'intervention
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
13 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils à induction, la valeur de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure à:
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
6V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
150 V
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
760 pF @ 75 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
PowerTrench®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-SOIC
Mfr:
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
4.1A (Ta)
Dissipation de puissance (maximum):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
FDS86
Introduction
N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Monture de surface 8-SOIC
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