Le numéro de série FCD900N60
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3.5V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
17 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou sup
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
600 V ou plus
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Pas pour les nouveaux modèles
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
Pour les appareils de traitement des gaz
Type de montage:
Monture de surface
Série:
SuperFET® II
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-252AA
Mfr:
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
4.5A (Tc)
Dissipation de puissance (maximum):
52W (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
FCD900
Introduction
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Monture de surface TO-252AA
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