Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2V @ 250μA
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
30 pF @ 5 V
Série:
-
Vgs (maximum):
± 20 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10Ohm @ 100mA, 5V
Mfr:
Uniseme
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
P-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
5V
Dissipation de puissance (maximum):
225mW (ventres)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
50 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
130mA (ventres)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
bss84
Introduction
Le débit de l'électricité est calculé en fonction de l'intensité de la source d'énergie utilisée.
Produits connexes
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Le nombre de points de contrôle
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Image | partie # | Définition | |
|---|---|---|---|
|
|
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Le nombre de points de contrôle |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
