Le numéro de série FDS6679
fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
96 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9.3mOhm @ 13A, 10V
Type de FET:
P-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Vgs (maximum):
±25V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3845 pF @ 15 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
PowerTrench®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-SOIC
Mfr:
Uniseme
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
13A (ventres)
Dissipation de puissance (maximum):
2.5W (ventres)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Le montant de l'aide est fixé à la valeur de l'aide accordée.
Mettre en évidence:
FDS6679AZ circuit intégré à semi-conducteurs MOSFET
,FDS6679AZ circuit intégré de gestion d'alimentation
,FDS6679AZ circuit intégré à haut rendement
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.
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