Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Type de FET:
N-canal
Caractéristique de FET:
-
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Le paquet:
Tuyaux
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4V @ 250µA
Série:
-
Vgs (maximum):
±30V
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
89 nC @ 10 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage.
Mfr:
Vishay Siliconix
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1836 pF @ 100 V
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Dissipation de puissance (maximum):
208W (TC)
Emballage / boîtier:
TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
21A (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Le SIHB24
Introduction
N-canal 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Monture de surface D2PAK (TO-263)
Produits connexes
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Le numéro IRFP448PBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité.
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention.
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SQJ486EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Le numéro IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité. |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
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SQJ486EP-T1_GE3 |
MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
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