SQJ486EP-T1_GE3
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fabricant:
Vishay Siliconix
Définition:
Le système de détection de la pollution par le gaz doit être conforme à la réglementation en vigueur
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.1V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
PowerPAK® SO-8
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
34 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz:
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Vgs (maximum):
± 20 V
Statut du produit:
Actif
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1386 pF @ 15 V
Type de montage:
Monture de surface
Série:
Des véhicules à moteur, AEC-Q101, TrenchFET®
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
30A (comité technique)
Dissipation de puissance (maximum):
56W (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
SQJ486
Introduction
Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande de commande de commande.
Produits connexes
Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail.
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
Le numéro IRFP448PBF
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Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité.
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention.
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil.
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
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| Image | partie # | Définition | |
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Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de l'heure de travail. |
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8
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Le numéro IRFP448PBF |
MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
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Les produits de l'équipement doivent être soumis à des contrôles de sécurité. |
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Les États membres peuvent prévoir des mesures de prévention et de prévention. |
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
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Si l'unité de mesure est supérieure à 5 mm, elle est supérieure à 5 mm. |
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'appareil. |
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
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SQM100P10-19L_GE3 |
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon. |
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
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SQJ459EP-T1_GE3 |
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
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Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9 |
MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
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