2V7002LT1G
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistor MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
Monture de surface
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.5V @ 250µA
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
50 pF à 25 V
Série:
Automobile, AEC-Q101
Vgs (maximum):
± 20 V
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Mfr:
Uniseme
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
5V, 10V
Dissipation de puissance (maximum):
225mW (ventres)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
115mA (comité technique)
La technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Numéro du produit de base:
Pour les véhicules à moteur
Introduction
N-canal 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)
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