NVH4L022N120M3S
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Le système d'aérodrome doit être équipé d'un système d'aérodrome de type SIC.
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
151 nC @ 18 V
Statut du produit:
Actif
Type de montage:
À travers le trou
Le paquet:
Tuyaux
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
3175 pF @ 800 V
Série:
Automobile, AEC-Q101
Vgs (maximum):
+22V, -10V
Vgs(th) (maximum) @ Id:
4.4V @ 20mA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
TO-247-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
30 mOhm @ 40A, 18V
Mfr:
Uniseme
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Type de FET:
N-canal
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
Pour les appareils électriques
Dissipation de puissance (maximum):
352W (Tc)
Emballage / boîtier:
TO-247-4
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
Pour les appareils électroniques
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
68A (comité technique)
La technologie:
SiCFET (carbure de silicium)
Caractéristique de FET:
-
Introduction
N-canal 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) à travers le trou TO-247-4L
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