SBC856BDW1T1G
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 mA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
2 PNP (double)
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
100 MHz
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
Automobile, AEC-Q101
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
65V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Mfr:
Uniseme
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
15nA (ICBO)
Puissance maximale:
380mW
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
220 @ 2mA, 5V
Numéro du produit de base:
SBC856
Introduction
Transistors bipolaires (BJT) Array 2 PNP (double) 65V 100mA 100MHz 380mW Monture de surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Produits connexes
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif)
Le nombre de points de contrôle
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Image | partie # | Définition | |
---|---|---|---|
![]() |
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
![]() |
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
![]() |
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
![]() |
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
![]() |
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
![]() |
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
![]() |
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
![]() |
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
![]() |
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
![]() |
Le nombre de points de contrôle |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces: