Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'Union européenne.
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Uniseme
Définition:
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL qui est utilisé pour la commande
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples
Statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
200 μA @ 60 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
630 mV @ 2 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
Automobile, AEC-Q101
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SMA-FL
Mfr:
Uniseme
La technologie:
Je suis Schottky.
Température de fonctionnement - jonction:
-55°C à 150°C
Emballage / boîtier:
DO-221AC, SMA à conduits plats
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
60 V
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
2A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le numéro d'immatriculation du véhicule
Introduction
Le diode 60 V 2A est monté sur la surface SMA-FL
Produits connexes
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Le nombre de points de contrôle
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Image | partie # | Définition | |
|---|---|---|---|
|
|
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Le nombre de points de contrôle |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
