Le système de contrôle de l'équipement
Les spécifications
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples
Statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
1 mA @ 200 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
840 mV @ 3 A
Le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SMB
Mfr:
Uniseme
La technologie:
Je suis Schottky.
Température de fonctionnement - jonction:
-65°C à 175°C
Emballage / boîtier:
DO-214AA, SMB
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour l'électricité
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
3A
Vitesse:
Récupération rapide = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
MBRS3200
Mettre en évidence:
Diode Schottky MBRS3200T3G
,Redresseur de puissance à semi-conducteurs CI
,Diode à haut rendement MBRS3200T3G
Introduction
Diode 200 V 3A montée à la surface SMB
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Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
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MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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Le nombre de points de contrôle
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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| Image | partie # | Définition | |
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MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
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LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
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Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
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NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
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CAT24C08WI-GT3 |
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FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
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FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
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FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
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Le nombre de points de contrôle |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
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FDS4559 |
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
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