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Les caractéristiques de l'appareil doivent être les suivantes:

fabricant:
Uniseme
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
PNP
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
50 V
Emballage / boîtier:
SOT-89-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
150 mégahertz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
60 V
Série:
2SB1124
Tension basse VEBO d'émetteur:
6 V
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
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