MJD44H11T4G
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fabricant:
Uniseme
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
8 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
80 V
Emballage / boîtier:
TO-252-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
85 mégahertz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
5 V
Série:
MJD44H11
Tension basse VEBO d'émetteur:
5 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1V
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
Le MJD44H11T4G, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons ont un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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