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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistors bipolaires - BJT 3A 100V 40W NPN
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur CC maximal:
3 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
3 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
Pour les appareils électroniques
Série:
TIP31C
Tension basse VEBO d'émetteur:
5 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1.2 V
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
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