SBCP53T1G
![qualité [#varpname#] usine](http://www.scarceic.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistors bipolaires - BJT SS GP XSTR PNP 80V
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
PNP
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
1.5 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
- 80 VDC
Emballage / boîtier:
SOT-223-4
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
50 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
- 100 V
Série:
BCP53
Tension basse VEBO d'émetteur:
- 5 VDC
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
- 500 mVDC
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
Le SBCP53T1G, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons ont un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Produits connexes
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
MC33178DR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
LM2904DMR2G
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement.
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
NCV2903DMR2G
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
CAT24C08WI-GT3
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
FDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
FDS4897C
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
FDS6898A
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Le nombre de points de contrôle
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
| Image | partie # | Définition | |
|---|---|---|---|
|
|
Puce de conduite de porte IC à double inversion MOSFET à haute vitesse 1.5A MC34151DR2G |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET
|
|
|
|
MC33178DR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 2-18V Dual Low Power Industrial Temp
|
|
|
|
LM2904DMR2G |
Operational Amplifiers - Op Amps 3-26V Dual Lo PWR -40 to 105deg C
|
|
|
|
Le système de contrôle de la qualité doit être conforme aux exigences du présent règlement. |
Operational Amplifiers - Op Amps ANA DUAL PWR OP AMP
|
|
|
|
NCV2903DMR2G |
IC COMP DUAL OFFSET LV 8MICRO
|
|
|
|
CAT24C08WI-GT3 |
EEPROM 8K-Bit I2C Serial EEPROM
|
|
|
|
FDC3601N |
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
|
|
|
|
FDS4897C |
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
|
|
|
|
FDS6898A |
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
|
|
|
|
Le nombre de points de contrôle |
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
|
Envoyez le RFQ
Le stock:
Nombre de pièces:
