MJE182G
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistors bipolaires - BJT 3A 80V 12,5W NPN
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur CC maximal:
3 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
80 V
Emballage / boîtier:
TO-225-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
50 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
Pour les appareils électroniques
Série:
MJE182
Tension basse VEBO d'émetteur:
7 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1.7 V
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
Le MJE182G, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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