Le numéro de série de la NJVMJD340
Les spécifications
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
750 mA
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
300 VDC
Emballage / boîtier:
DPAK-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
10 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
Pour l'électricité
Série:
MJD340
Tension basse VEBO d'émetteur:
3 VOLTS CONTINU
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1V
Produit de fabrication:
Uniseme
Mettre en évidence:
Circuit intégré à semi-conducteurs NJVMJD340T4G
,Transistor MOSFET NJVMJD340T4G
,Circuit intégré de gestion d'alimentation NJVMJD340T4G
Introduction
Le NJVMJD340T4G, de onsemi, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons ont un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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| Image | partie # | Définition | |
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MC33178DR2G |
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