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SQJ479EP-T1_GE3

fabricant:
Siliconix / Vishay
Définition:
MOSFET P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualifié
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
P-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
- 32 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
Le système d'alimentation électrique est utilisé.
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
- 80 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
- 2,5 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
27.5 mOhms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
+/- 20 V
Qg - charge de porte:
150 OR
Produit de fabrication:
Siliconix / Vishay
Introduction
Le SQJ479EP-T1_GE3, de Siliconix/Vishay, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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