SQJ479EP-T1_GE3
Les spécifications
Polarité de transistor:
P-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
- 32 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
Le système d'alimentation électrique est utilisé.
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
- 80 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
- 2,5 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
27.5 mOhms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
+/- 20 V
Qg - charge de porte:
150 OR
Produit de fabrication:
Siliconix / Vishay
Introduction
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Image | partie # | Définition | |
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SQ2315ES-T1_GE3 |
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin d'évaluation de l'OMS. |
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