SQ2315ES-T1_GE3
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fabricant:
Siliconix / Vishay
Définition:
MOSFET P-Channel 12V AEC-Q101 Qualifié
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
P-canal
La technologie:
SI
Identification - courant continu de drain:
- 5 A
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Nom commercial:
TrenchFET
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
Le SOT-23-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Mode de la Manche:
Amélioration
Vds - tension claque de Drain-source:
- 12 V
emballage:
Le rouleau
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:
- 1 V
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
0.042 Ohms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
+/- 8 V
Qg - charge de porte:
13 après JC
Produit de fabrication:
Siliconix / Vishay
Introduction
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