NTJD4152PT1G
Les spécifications
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
0
Quantité minimale:
3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
155 pF @ 20V
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
880 mA
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
2.2nC @ 4,5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'électricité utilisée doit être éga
Puissance maximale:
272 mW
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.2V @ 250µA
Série:
-
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
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