NGTB25N120FL3WG
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Transistors IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 200
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
100 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
349 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
1,2 kilovolts
Emballage / boîtier:
TO247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1.7 V
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
Le NGTB25N120FL3WG,de onsemi,est des transistors IGBT. ce que nous offrons ont un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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