NJD35N04T4G
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fabricant:
Uniseme
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Darlington Transistors
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
4 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
45 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
350 V
Emballage / boîtier:
Pour les produits de la catégorie "A" et "B"
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
emballage:
Le rouleau
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
700 V
Série:
NJD35N04
Tension basse VEBO d'émetteur:
5 V
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
Le NJD35N04T4G, de onsemi, est Darlington Transistors. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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