FDC6312P
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fabricant:
Uniseme
Définition:
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteur IC
Les spécifications
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SuperSOT™-6
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Factory Stock:
0
Quantité minimale:
3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
467pF @ 10V
Emballage / boîtier:
Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau.
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
2.3A
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
7nC @ 4,5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
115 mOhm @ 2,3 A, 4,5 V
Puissance maximale:
700mW
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.5V @ 250µA
Série:
PowerTrench®
Produit de fabrication:
Uniseme
Introduction
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